Ua lipotia mai ua liliu atu Samsung i le maketi manatua MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) ma le faʻamoemoe e faʻalautele le faʻaogaina o lenei tekinolosi i isi vaega. E tusa ai ma faʻasalalauga a Korea i Saute, o loʻo faʻamoemoe le tele o tekinolosi o le a maua e ana manatuaga MRAM lo latou auala i vaega e ese mai le Initaneti o Mea ma AI, e pei o le fale gaosi oloa, faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga, ma e oʻo lava i mea tau eletise.
Sa galue Samsung i manatuaga MRAM mo le tele o tausaga ma amata ai le tele-fausiaina o lana uluai faʻasalalauga faʻapisinisi i lenei vaega i le ogatotonu o 2019. Na gaosia ai i latou e faʻaaoga ai le 28nm FD-SOI process. O le fofo na faʻatapulaʻaina le gafatia, o se tasi lea o faʻaletonu o tekinolosi, ae na lipotia mai na faʻaaogaina i masini IoT, meataalo atamai, ma microcontrollers na gaosia e NXP. Faʻafuaseʻi, o le kamupani Dutch e le o toe umi ae avea ma se vaega o Samsung, pe a fai o le tech tele o le a agai i luma ma se isi galu o le mauaina ma le tuufaatasia.
E fa'atatau e le au su'esu'e o le maketi i le lalolagi atoa mo manatuaga MRAM o le a tau 2024 piliona tālā (pe tusa ma le 1,2 piliona pale) i le 25,8.
E faapefea ona ese manatuaga o lenei ituaiga mai manatuaga DRAM? A'o teuina e le DRAM (pei o le moli) fa'amaumauga e pei o se tau eletise, o le MRAM o se fofo e le fa'aogaina e fa'aogaina ai elemene fa'amautu fa'amaneta e aofia ai le lua ferromagnetic layers ma se pa puipui manifinifi e teu ai fa'amaumauga. I le faʻataʻitaʻiga, o lenei manatua e matua televave ma e mafai ona oʻo atu i le 1000 taimi sili atu nai lo le eFlash. E mafua lenei mea ona o le mea moni e le tau faia ni solo solo a'o le'i amata ona tusia fa'amatalaga fou. E le gata i lea, e manaʻomia le itiiti ifo o le mana nai lo le faʻasalalauga masani e teu ai.
I se isi itu, o le mea sili ona le lelei o lenei fofo o le laʻititi laʻititi lea ua taʻua, o se tasi lea o mafuaʻaga e leʻi oʻo ai i le tulaga masani. Ae ui i lea, atonu e le o toe mamao se suiga i le auala fou a Samsung.
E mafai ona e fiafia i ai
