Na amata e Samsung le tele o gaosiga o gaosiga e faʻaaoga ai le 14-nm FinFET process naʻo talu ai nei, ae ua uma ona sauniuni mo le lumanaʻi ma amata faʻataʻitaʻi i tekinolosi 10-nm, ma e pei ona fai mai ia lava, e oʻo lava i le 5-nm tekinolosi e le o se faʻafitauli tele. aua. Na faʻaalia e le kamupani nei faʻamatalaga mataʻina i le ISSCC 2015 conference, lea na faʻaalia ai faʻataʻitaʻiga o gaosiga na faia e faʻaaoga ai le 10-nm tekinolosi, lea o le a faʻaaogaina i nai tausaga o lumanaʻi. I le taimi lava e tasi, na faʻamaonia ai e Kinam Kim o Samsung o le a gaosia le gaosiga i le lumanaʻi e faʻaaoga ai se faʻagasologa o loʻo i luga ole tulafono a Moore.
Ae e foliga mai e leai se mea e taofia ai Samsung mai le alu i tua atu o le tapulaʻa na setiina e Gordon Moore ma faia ai ni tupe meataalo laiti ma sili atu ona taugofie. Ua faʻailoa mai e le kamupani e ono amata ona gaosia le gaosiga e faʻaaoga ai le 3,25-nm gaosiga faʻagasologa i le lumanaʻi. Ae o le fesili o loʻo tumau pea pe o le a le mea o le a faʻaaogaina, talu ai ua faʻasalalau e Intel e le toe mafai ona faʻaogaina le silicon i lalo ole 7-nm limit. O le mafuaaga lena na ia fuafua ai e gaosia meataalo ma le fesoasoani a Indium-Gallium-Arsenide, e sili ona lauiloa i lona faapuupuuga InGaAs. Ae ui i lea, e mafai lava ona faʻaogaina le silikoni ma le 14-nm FinFET o loʻo iai nei. O le mea mulimuli e faʻaaogaina i le tasi itu i le gaosiga o meataalo muamua Galaxy S6 ma o le a faʻaaogaina foi e gaosia ai meataalo muamua iPhone 6s ma Qualcomm. Na ia fuafua e faʻaaoga masini faʻaogaina e faʻaaoga ai le 10-nm process i oloa IoT, ona o le faʻaitiitia o le faʻaaogaina o chip. Ae ui i lea, o nei masini o le a aliali mai i le amataga o le 2016 ma le 2017.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
* Punavai: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
